工業存儲eMMC與UFS是什么？兩者的區別與基本介紹

eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用統一的MMC標準接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封裝在一顆BGA芯片中。針對Flash的特性，產品內部已經包含了Flash管理技術，包括錯誤探測和糾正，flash平均擦寫，壞塊管理，掉電保護等技術。用戶無需擔心產品內部flash晶圓制程和工藝的變化。同時eMMC單顆芯片為主板內部節省更多的空間。

簡單地說，eMMC=Nand Flash+控制器+標準封裝

eMMC 則在其內部集成了 Flash Controller，用于完成擦寫均衡、壞塊理、ECC校驗等功能，讓 Host 端專注于上層業務，省去對 NAND Flash 進行特殊的處理。

eMMC具有以下優勢：

eMMC標準：JEDD-2011年6月發布的JESD84-A441：Embedded MultiMediaCard（e?MMC）產品標準v4.5中定義的v4.5。JEDEC還發布了JESD84-B45：嵌入式多媒體卡e?MMC），2011年6月eMMC v4.5的電氣標準（版本4.5設備）。2015年2月JEDEC發布eMMC標準 5.1版。

大多數主流中端手機采用的都是eMMC5.1的閃存，其理論帶寬為600M/s。順序讀取速度為250M/s，順序寫入速度為125M/s。

新一代UFS：UFS：Univeral Flash Storage，我們可以將它視為eMMC的進階版，是由多個閃存芯片、主控、緩存組成的陣列式存儲模塊。UFS彌補了eMMC僅支持半雙工運行（讀寫必須分開執行）的缺陷，可以實現全雙工運行，所以性能得以翻番。

UFS早前被細分為UFS 2.0和UFS 2.1，它們在讀寫速度上的強制標準都為HS-G2（High speed GEAR2），可選HS-G3標準。而兩套標準又都能運行在1Lane（單通道）或2Lane（雙通道）模式上，一款手機能取得多少讀寫速度，就取決于UFS閃存標準和通道數，以及處理器對UFS閃存的總線接口支持情況。

UFS 3.0引入了HS-G4規范，單通道帶寬提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。而由于UFS支持雙通道雙向讀寫，所以UFS 3.0的接口帶寬最高可達23.2Gbps，也就是2.9GB/s。此外，UFS 3.0支持的分區增多（UFS 2.1是8個），糾錯性能提升且支持最新的NAND Flash閃存介質。

為了滿足 5G 設備的需求，UFS 3.1 的寫入速度是上一代通用閃存存儲的 3 倍。此驅動器的 1,200 百萬字節/秒 (MB/s) 速度可增強高性能，有助于防止下載文件時緩沖，從而讓您在連接頻繁的世界中享受 5G 的低延遲連接性。

寫入速度高達 1,200MB/s(寫入速度可能因容量而異：128 千兆字節 (GB) 高達 850MB/s，256GB 和 512GB 高達 1,200MB/s)。